Транзистор КТ847

Цоколевка транзисторов КТ845, КТ846, КТ847, КТ848
Цоколевка транзисторов КТ845, КТ846, КТ847, КТ848

 

Параметры транзистора КТ847
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ847А 2N6678, 2N6672
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ847А 90 °C 125* Вт
КТ847Б 95 °C 125*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ847А ≥15 МГц
КТ847Б ≥10
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ847А 0.01к 650* В
КТ847Б 0.01к 650
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ847А 8 В
КТ847Б 8
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ847А 15(25*) А
КТ847Б 15(25*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ847А 650 В 5 мА
КТ847Б 650 В 5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ847А 3 В; 15 А 8…25*
КТ847Б 3 В; 15 А 8…25*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ847А 400 В ≤200 пФ
КТ847Б 400 В ≤200
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ847А ≤0.1 Ом, дБ
КТ847Б ≤0.1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ847А Дб, Ом, Вт
КТ847Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ847А ≤2000* пс
КТ847Б ≤3000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.