Транзистор КТ851

Цоколевка транзисторов КТ850, КТ851, КТ852
Цоколевка транзисторов КТ850, КТ851, КТ852

 

Параметры транзистора КТ851
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ851А 2SB546A, 2SB630, SK3930, 2SA958,

KSB546 *2, 2SB547A *2, 2SB546A *2, 2SB768 *2, 2SB1096 *2

КТ851Б 2SA1009, BUX66A *3, 2N6211 *3, MJ3584 *3
КТ851В 2SA740, 2SB546, TIP30E *2, АР1090 *3, 2SB547A *2, 2SB546A *2
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ851А 25* Вт
КТ851Б 25*
КТ851В 25*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ851А ≥20 МГц
КТ851Б ≥20
КТ851В ≥20
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ851А 250 В
КТ851Б 300
КТ851В 180
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ851А 5 В
КТ851Б 5
КТ851В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ851А 2(3*) А
КТ851Б 2(3*)
КТ851В 2(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ851А 250 В ≤100 мкА
КТ851Б 300 В ≤500
КТ851В 180 В ≤500
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ851А 10 В; 0.5 А 40…200*
КТ851Б 10 В; 0.5 А 20…200*
КТ851В 10 В; 0.5 А 20…200*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ851А 5 В 40 пФ
КТ851Б 5 В 40
КТ851В 5 В 40
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ851А ≤2 Ом, дБ
КТ851Б ≤2
КТ851В ≤2
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ851А Дб, Ом, Вт
КТ851Б
КТ851В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ851А 1400* пс
КТ851Б 1400*
КТ851В 1400*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.