Транзистор КТ851

Цоколевка транзисторов КТ850, КТ851, КТ852
Цоколевка транзисторов КТ850, КТ851, КТ852

 

Параметры транзистора КТ851
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ851А 2SB546A, 2SB630
КТ851Б 2SA1009
КТ851В 2SA740, 2SB546
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ851А 25* Вт
КТ851Б 25*
КТ851В 25*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ851А ≥20 МГц
КТ851Б ≥20
КТ851В ≥20
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ851А 250 В
КТ851Б 300
КТ851В 180
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ851А 5 В
КТ851Б 5
КТ851В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ851А 2(3*) А
КТ851Б 2(3*)
КТ851В 2(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ851А 250 В ≤100 мкА
КТ851Б 300 В ≤500
КТ851В 180 В ≤500
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ851А 10 В; 0.5 А 40…200*
КТ851Б 10 В; 0.5 А 20…200*
КТ851В 10 В; 0.5 А 20…200*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ851А 5 В 40 пФ
КТ851Б 5 В 40
КТ851В 5 В 40
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ851А ≤2 Ом, дБ
КТ851Б ≤2
КТ851В ≤2
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ851А Дб, Ом, Вт
КТ851Б
КТ851В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ851А 1400* пс
КТ851Б 1400*
КТ851В 1400*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.