Транзистор КТ852

Цоколевка транзисторов КТ850, КТ851, КТ852
Цоколевка транзисторов КТ850, КТ851, КТ852

 

Параметры транзистора КТ852
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ852А TIP117, 2SB1286
КТ852Б TIP116, 2SB750A
КТ852В TIP115, 2SB973A
КТ852Г TIP115
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ852А 50* Вт
КТ852Б 50*
КТ852В 50*
КТ852Г 50*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ852А ≥7 МГц
КТ852Б ≥7
КТ852В ≥7
КТ852Г ≥7
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ852А 100 В
КТ852Б 80
КТ852В 60
КТ852Г 45
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ852А 5 В
КТ852Б 5
КТ852В 5
КТ852Г 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ852А 2.5(4*) А
КТ852Б 2.5(4*)
КТ852В 2.5(4*)
КТ852Г 2.5(4*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ852А 100 В ≤1 мА
КТ852Б 80 В ≤1
КТ852В 60 В ≤1
КТ852Г 45 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ852А 4 В; 2 А ≥500*
КТ852Б 4 В; 2 А ≥500*
КТ852В 4 В; 1 А ≥1000*
КТ852Г 4 В; 1 А ≥1000*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ852А 5 В ≤28 пФ
КТ852Б 5 В ≤28
КТ852В 5 В ≤28
КТ852Г 5 В ≤28
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ852А ≤1.25 Ом, дБ
КТ852Б ≤1.25
КТ852В ≤1.25
КТ852Г ≤1.25
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ852А Дб, Ом, Вт
КТ852Б
КТ852В
КТ852Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ852А 2000* пс
КТ852Б 2000*
КТ852В 2000*
КТ852Г 2000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.