Транзистор КТ853

Цоколевка транзисторов КТ853, КТ854, КТ855
Цоколевка транзисторов КТ853, КТ854, КТ855

 

Параметры транзистора КТ853
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ853А TIP127, BDX54C
КТ853Б TIP126, BDX54B
КТ853В TIP125, BDX34
КТ853Г BDX54A
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ853А 60* Вт
КТ853Б 60*
КТ853В 60*
КТ853Г 60*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ853А ≥7 МГц
КТ853Б ≥7
КТ853В ≥7
КТ853Г ≥7
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ853А 100 В
КТ853Б 80
КТ853В 60
КТ853Г 45
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ853А 5 В
КТ853Б 5
КТ853В 5
КТ853Г 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ853А 8(12*) А
КТ853Б 8(12*)
КТ853В 8(12*)
КТ853Г 8(12*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ853А 100 В ≤0.2 мА
КТ853Б 80 В ≤0.2
КТ853В 60 В ≤0.2
КТ853Г 45 В ≤0.2
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ853А 3 В; 3 А ≥750*
КТ853Б 3 В; 3 А ≥750*
КТ853В 3 В; 3 А ≥750*
КТ853Г 3 В; 3 А ≥750*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ853А 5 В ≤120 пФ
КТ853Б 5 В ≤120
КТ853В 5 В ≤120
КТ853Г 5 В ≤120
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ853А ≤0.66 Ом, дБ
КТ853Б ≤0.66
КТ853В ≤0.66
КТ853Г ≤0.66
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ853А Дб, Ом, Вт
КТ853Б
КТ853В
КТ853Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ853А 3300* пс
КТ853Б 3300*
КТ853В 3300*
КТ853Г 3300*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.