Транзистор КТ854

Цоколевка транзисторов КТ853, КТ854, КТ855
Цоколевка транзисторов КТ853, КТ854, КТ855

 

Параметры транзистора КТ854
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ854А 2SC3257, TIP50
КТ854Б MJE 13006, 2N5540
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ854А 60* Вт
КТ854Б 60*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ854А ≥10 МГц
КТ854Б ≥10
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ854А 600 В
КТ854Б 400
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ854А 5 В
КТ854Б 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ854А 10(15*) А
КТ854Б 10(15*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ854А 600 В ≤3 мА
КТ854Б 400 В ≤3
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ854А 4 В; 2 А ≥20*
КТ854Б 4 В; 2 А ≥20*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ854А 10 В ≤200 пФ
КТ854Б 10 В ≤200
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ854А ≤0.4 Ом, дБ
КТ854Б ≤0.4
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ854А Дб, Ом, Вт
КТ854Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ854А tсп=700 пс
КТ854Б tсп=700

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.