Транзистор КТ855

Цоколевка транзисторов КТ853, КТ854, КТ855
Цоколевка транзисторов КТ853, КТ854, КТ855

 

Параметры транзистора КТ855
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ855А BD566
КТ855Б BDT42C
КТ855В BDT45C
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ855А 40* Вт
КТ855Б 40*
КТ855В 40*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ855А ≥5 МГц
КТ855Б ≥5
КТ855В ≥5
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ855А 250 В
КТ855Б 150
КТ855В 150
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ855А 5 В
КТ855Б 5
КТ855В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ855А 5(8*) А
КТ855Б 5(8*)
КТ855В 5(8*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ855А 250 В ≤1 мА
КТ855Б 150 В ≤1
КТ855В 150 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ855А 4 В; 2 А ≥20*
КТ855Б 4 В; 2 А ≥20*
КТ855В 4 В; 2 А ≥15*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ855А 10 В 200 пФ
КТ855Б 10 В 200
КТ855В 10 В 200
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ855А ≤0.5 Ом, дБ
КТ855Б ≤0.5
КТ855В ≤0.5
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ855А Дб, Ом, Вт
КТ855Б
КТ855В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ855А пс
КТ855Б
КТ855В

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.