Транзистор КТ859

Цоколевка транзисторов КТ857, КТ858, КТ859
Цоколевка транзисторов КТ857, КТ858, КТ859

 

Параметры транзистора КТ859
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ859А BUX84, 2SD841
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ859А 40* Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ859А ≥25 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ859А 800 В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ859А 10 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ859А 3(4*) А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ859А 800 В ≤1 мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ859А 10 В; 1 А ≥10*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ859А пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ859А ≤1.5 Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ859А Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ859А ≤3500* пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.