Транзистор КТ892

Цоколевка транзистора КТ892
Цоколевка транзистора КТ892

 

Параметры транзистора КТ892
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ892А TIP661
КТ892Б BU932Z
КТ892В TIP662
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ892А 100* Вт
КТ892Б 100*
КТ892В 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ892А 8 МГц
КТ892Б 8
КТ892В 8
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ892А 0.01к 350* В
КТ892Б 0.01к 400*
КТ892В 0.01к 300*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ892А 5 В
КТ892Б 5
КТ892В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ892А 15(30*) А
КТ892Б 15(30*)
КТ892В 15(30*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ892А 350 В ≤3 мА
КТ892Б 400 В ≤3
КТ892В 300 В ≤3
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ892А 10 В; 5 А ≥300*
КТ892Б 10 В; 5 А ≥300*
КТ892В 10 В; 5 А ≥300*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ892А пФ
КТ892Б
КТ892В
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ892А ≤0.225 Ом, дБ
КТ892Б ≤0.225
КТ892В ≤0.25
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ892А Дб, Ом, Вт
КТ892Б
КТ892В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ892А tсп≤4 мкс пс
КТ892Б tсп≤4 мкс
КТ892В tсп≤4 мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.