Транзистор КТ897

Цоколевка транзистора КТ897
Цоколевка транзистора КТ897

 

Параметры транзистора КТ897
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ897А BU931Z
КТ897Б BU941Z
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ897А 3; 150* Вт
КТ897Б 3; 150*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ897А ≥10 МГц
КТ897Б ≥10
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ897А 350 В
КТ897Б 200
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ897А 5 В
КТ897Б 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ897А 20(30*) А
КТ897Б 20(30*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ897А 350 В ≤250 мА
КТ897Б 200 В ≤250
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ897А 5 В; 5 А ≥400*
КТ897Б 5 В; 5 А ≥400*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ897А пФ
КТ897Б
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ897А ≤0.23 Ом, дБ
КТ897Б ≤0.23
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ897А Дб, Ом, Вт
КТ897Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ897А пс
КТ897Б

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.