Транзистор КТ898

Цоколевка транзисторов КТ898, КТ898-1. Коллектор КТ898-1 изолирован от корпуса.
Цоколевка транзисторов КТ898, КТ898-1. Коллектор КТ898-1 изолирован от корпуса.

 

Параметры транзистора КТ898
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ898А BU931ZP
КТ898Б BU931ZPFI
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ898А 1.5; 125* Вт
КТ898Б 1.5; 125*
КТ898А-1 1.5; 60*
КТ898Б-1 1.5; 60*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ898А ≥10 МГц
КТ898Б ≥10
КТ898А-1 ≥10
КТ898Б-1 ≥10
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ898А 350 В
КТ898Б 200
КТ898А-1 350
КТ898Б-1 200
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ898А 5 В
КТ898Б 5
КТ898А-1 5
КТ898Б-1 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ898А 20(30*) А
КТ898Б 20(30*)
КТ898А-1 20(30*)
КТ898Б-1 20(30*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ898А мА
КТ898Б
КТ898А-1
КТ898Б-1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ898А 5 В; 5 А ≥400*
КТ898Б 5 В; 5 А ≥400*
КТ898А-1 5 В; 5 А ≥400*
КТ898Б-1 5 В; 5 А ≥400*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ898А пФ
КТ898Б
КТ898А-1
КТ898Б-1
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ898А ≤0.23 Ом, дБ
КТ898Б ≤0.23
КТ898А-1 ≤0.23
КТ898Б-1 ≤0.23
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ898А Дб, Ом, Вт
КТ898Б
КТ898А-1
КТ898Б-1
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ898А пс
КТ898Б
КТ898А-1
КТ898Б-1

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.