Транзистор КТ916

Цоколевка транзистора КТ916
Цоколевка транзистора КТ916

 

Параметры транзистора КТ916
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ916А 2SC1805
КТ916Б 2N5596, 2N6208
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ916А 30* Вт
КТ916Б 30*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ916А ≥1100 МГц
КТ916Б ≥900
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ916А 0.01к 55* В
КТ916Б 55
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ916А 3.5 В
КТ916Б 3.5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ916А 2(4*) А
КТ916Б 2(4*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ916А 55 В ≤25* мА
КТ916Б 55 В ≤40*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ916А 5 В; 0.25 А 35*
КТ916Б 5 В; 0.25 А 35*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ916А 30 В ≤20 пФ
КТ916Б 30 В ≤20
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ916А ≤0.8; ≥2.25** Ом, дБ
КТ916Б ≤0.8; ≥1.85**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ916А 1 ГГц ≥20** Дб, Ом, Вт
КТ916Б 1 ГГц ≥16**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ916А ≤10 пс
КТ916Б ≤10

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.