Транзистор КТ9180

Цоколевка транзисторов КТ9180, КТ9181
Цоколевка транзисторов КТ9180, КТ9181

 

Параметры транзистора КТ9180
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ9180А BD132, BD330
КТ9180Б MJE170, MJE230
КТ9180В MJE171, MJE233
КТ9180Г MJE172
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ9180А 1.5; 12.5* Вт
КТ9180Б 12.5*
КТ9180В 12.5*
КТ9180Г 12.5*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ9180А ≥100 МГц
КТ9180Б ≥100
КТ9180В ≥100
КТ9180Г ≥100
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ9180А 40 В
КТ9180Б 60
КТ9180В 80
КТ9180Г 100
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ9180А 5 В
КТ9180Б 7
КТ9180В 7
КТ9180Г 7
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ9180А 3(7*) А
КТ9180Б 3(7*)
КТ9180В 3(7*)
КТ9180Г 3(7*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ9180А 30 В ≤1 мА
КТ9180Б 60 В ≤1
КТ9180В 80 В ≤1
КТ9180Г 100 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ9180А 2 В; 1 А 60…400*
КТ9180Б 1 В; 0.15 А 50…250*
КТ9180В 1 В; 0.15 А 50…250*
КТ9180Г 1 В; 0.15 А 50…250*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ9180А пФ
КТ9180Б
КТ9180В
КТ9180Г
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ9180А ≤0.25 Ом, дБ
КТ9180Б ≤0.4
КТ9180В ≤0.4
КТ9180Г ≤0.4
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ9180А Дб, Ом, Вт
КТ9180Б
КТ9180В
КТ9180Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ9180А пс
КТ9180Б
КТ9180В
КТ9180Г

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.