Транзистор КТ9181

Цоколевка транзисторов КТ9180, КТ9181
Цоколевка транзисторов КТ9180, КТ9181

 

Параметры транзистора КТ9181
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ9181А BD326, D42CC2N
КТ9181Б 2SD1348, MJE180
КТ9181В MJE181
КТ9181Г MJE182
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ9181А 12.5* Вт
КТ9181Б 12.5*
КТ9181В 12.5*
КТ9181Г 12.5*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ9181А ≥100 МГц
КТ9181Б ≥100
КТ9181В ≥100
КТ9181Г ≥100
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ9181А 40 В
КТ9181Б 60
КТ9181В 80
КТ9181Г 100
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ9181А 5 В
КТ9181Б 7
КТ9181В 7
КТ9181Г 7
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ9181А 3(7*) А
КТ9181Б 3(7*)
КТ9181В 3(7*)
КТ9181Г 3(7*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ9181А 30 В ≤1 мА
КТ9181Б 60 В ≤1
КТ9181В 80 В ≤1
КТ9181Г 100 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ9181А 2 В; 1 А 60…400*
КТ9181Б 1 В; 0.15 А 50…250*
КТ9181В 1 В; 0.15 А 50…250*
КТ9181Г 1 В; 0.15 А 50…250*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ9181А пФ
КТ9181Б
КТ9181В
КТ9181Г
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ9181А ≤0.25 Ом, дБ
КТ9181Б ≤0.4
КТ9181В ≤0.4
КТ9181Г ≤0.4
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ9181А Дб, Ом, Вт
КТ9181Б
КТ9181В
КТ9181Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ9181А пс
КТ9181Б
КТ9181В
КТ9181Г

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.