Транзистор КТ919

Цоколевка транзистора КТ919
Цоколевка транзистора КТ919

 

Параметры транзистора КТ919
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ919А 2N5596, MSC2005M
КТ919Б 2N5768, MSC2003M
КТ919В 2N5483, MSC2001M
КТ919Г PKB23003U
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ919А 10* Вт
КТ919Б 5*
КТ919В 3.25*
КТ919Г 10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ919А ≥1350 МГц
КТ919Б ≥1350
КТ919В ≥1350
КТ919Г ≥1350
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ919А 45 В
КТ919Б 45
КТ919В 45
КТ919Г 45
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ919А 3.5 В
КТ919Б 3.5
КТ919В 3.5
КТ919Г 3.5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ919А 0.7(1.5*) А
КТ919Б 0.35(0.7*)
КТ919В 0.2(0.4*)
КТ919Г 0.7(1.5*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ919А 45 В ≤10 мА
КТ919Б 45 В ≤5
КТ919В 45 В ≤2
КТ919Г 45 В ≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ919А
КТ919Б
КТ919В
КТ919Г
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ919А 28 В ≤10 пФ
КТ919Б 28 В ≤6.5
КТ919В 28 В ≤5
КТ919Г 28 В ≤12
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ919А Ом, дБ
КТ919Б
КТ919В
КТ919Г
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ919А 2 ГГц ≥3.5** Дб, Ом, Вт
КТ919Б 2 ГГц ≥1.6**
КТ919В 2 ГГц ≥0.8**
КТ919Г 2 ГГц ≥3**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ919А ≤2.2 пс
КТ919Б ≤2.2
КТ919В ≤2.2
КТ919Г ≤2.2

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.