Транзистор КТ919

Цоколевка транзистора КТ919
Цоколевка транзистора КТ919

 

Параметры транзистора КТ919
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ919А 2N5596, MSC2005M, NEM200394 *2, NE2003 *2
КТ919Б 2N5768, MSC2003M, LKE21015T *2, NE2001 *2, PWB2001U *2
КТ919В 2N5483, MSC2001M, MRF2001M *2, 2SC1038 *2
КТ919Г PKB23003U, MRF2003M *2, MRF2003 *3, MRF2003B *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ919А 10* Вт
КТ919Б 5*
КТ919В 3.25*
КТ919Г 10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ919А ≥1350 МГц
КТ919Б ≥1350
КТ919В ≥1350
КТ919Г ≥1350
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ919А 45 В
КТ919Б 45
КТ919В 45
КТ919Г 45
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ919А 3.5 В
КТ919Б 3.5
КТ919В 3.5
КТ919Г 3.5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ919А 0.7(1.5*) А
КТ919Б 0.35(0.7*)
КТ919В 0.2(0.4*)
КТ919Г 0.7(1.5*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ919А 45 В ≤10 мА
КТ919Б 45 В ≤5
КТ919В 45 В ≤2
КТ919Г 45 В ≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ919А
КТ919Б
КТ919В
КТ919Г
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ919А 28 В ≤10 пФ
КТ919Б 28 В ≤6.5
КТ919В 28 В ≤5
КТ919Г 28 В ≤12
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ919А Ом, дБ
КТ919Б
КТ919В
КТ919Г
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ919А 2 ГГц ≥3.5** Дб, Ом, Вт
КТ919Б 2 ГГц ≥1.6**
КТ919В 2 ГГц ≥0.8**
КТ919Г 2 ГГц ≥3**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ919А ≤2.2 пс
КТ919Б ≤2.2
КТ919В ≤2.2
КТ919Г ≤2.2

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.