Транзистор КТ920

Цоколевка транзистора КТ920
Цоколевка транзистора КТ920

 

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные высокочастотные. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности в том числе с амплитудной модуляцией, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50-200 МГц при напряжении питания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами и монтажным винтом. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 4,5 г.

 

Параметры транзистора КТ920
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ920А 2N5589
КТ920Б BLW18, 2N5590
КТ920В 2N5591
КТ920Г BLY88A
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ920А 50 °C 5* Вт
КТ920Б 50 °C 10*
КТ920В 50 °C 25*
КТ920Г 50 °C 25*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ920А ≥400 МГц
КТ920Б ≥400
КТ920В ≥400
КТ920Г ≥350
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ920А 36 В
КТ920Б 36
КТ920В 36
КТ920Г 36
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ920А 4 В
КТ920Б 4
КТ920В 4
КТ920Г 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ920А 0.25(1*) А
КТ920Б 1(2*)
КТ920В 3(7*)
КТ920Г 3(7*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ920А 36 В ≤2* мА
КТ920Б 36 В ≤4*
КТ920В 36 В ≤7.5*
КТ920Г 36 В ≤7.5*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ920А
КТ920Б
КТ920В
КТ920Г
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ920А 10 В ≤15 пФ
КТ920Б 10 В ≤25
КТ920В 10 В ≤75
КТ920Г 10 В ≤75
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ920А ≥7.5** Ом, дБ
КТ920Б ≥4.5**
КТ920В ≥3**
КТ920Г ≥3**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ920А 175 МГц ≥2** Дб, Ом, Вт
КТ920Б 175 МГц ≥5**
КТ920В 175 МГц ≥20**
КТ920Г 175 МГц ≥15**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ920А ≤20 пс
КТ920Б ≤20
КТ920В ≤20
КТ920Г ≤20

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.