Транзистор КТ922

Цоколевка транзисторов КТ922, КТ925

Цоколевка транзисторов КТ922, КТ925

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные высокочастотные. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности, том числе при амплитудной модуляции, в умножителях частоты в автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с четырьмя изолированными от корпуса гибкими ленточными выводами и монтажным винтом. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 4,5 г.

 

Параметры транзистора КТ922
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ922А 2N5641
КТ922Б 2N5642
КТ922В 2N5643
КТ922Г BLW24
КТ922Д 2N4128
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ922А 40 °C 8* Вт
КТ922Б 40 °C 20*
КТ922В 40 °C 40*
КТ922Г 40 °C 20*
КТ922Д 40 °C 40*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ922А ≥300 МГц
КТ922Б ≥300
КТ922В ≥300
КТ922Г ≥300
КТ922Д ≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ922А 0.1к 65* В
КТ922Б 0.1к 65*
КТ922В 0.1к 65*
КТ922Г 0.1к 65*
КТ922Д 0.1к 65*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ922А 4 В
КТ922Б 4
КТ922В 4
КТ922Г 4
КТ922Д 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ922А 0.8(1.5*) А
КТ922Б 1.5(4.5*)
КТ922В 3(9*)
КТ922Г 1.5(4.5*)
КТ922Д 3(9*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ922А 65 В ≤5* мА
КТ922Б 65 В ≤20*
КТ922В 65 В ≤40*
КТ922Г 65 В ≤20*
КТ922Д 65 В ≤40*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ922А
КТ922Б
КТ922В
КТ922Г
КТ922Д
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ922А 28 В ≤15 пФ
КТ922Б 28 В ≤35
КТ922В 28 В ≤65
КТ922Г 28 В ≤35
КТ922Д 28 В ≤65
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ922А ≥10** Ом, дБ
КТ922Б ≥5.5**
КТ922В ≥4**
КТ922Г ≥5**
КТ922Д ≥3.5**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ922А 175 МГц ≥5** Дб, Ом, Вт
КТ922Б 175 МГц ≥20**
КТ922В 175 МГц ≥40**
КТ922Г 175 МГц ≥17**
КТ922Д 175 МГц ≥35**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ922А ≤20 пс
КТ922Б ≤20
КТ922В ≤25
КТ922Г ≤20
КТ922Д ≤25

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.