Транзистор КТ930

Цоколевка транзисторов КТ930, КТ931
Цоколевка транзисторов КТ930, КТ931

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для применения в схемах широкополосных усилителей мощности класса С, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100 — 400 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами. Транзистор содержит внутреннее согласующее LC-звено. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 7 г.

 

Параметры транзистора КТ930
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ930А 2N6362, СМ75-28, CD6105 *2, CD6105A *2, MRF325 *2, MRF5177 *3, MRF5177A *3
КТ930Б 2N6364, UMIL70, C2M70-28R, UMIL60 *2
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ930А 40 °C 75* Вт
КТ930Б 40 °C 120*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ930А ≥450 МГц
КТ930Б ≥600
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ930А 0.1к 50* В
КТ930Б 0.1к 50*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ930А 4 В
КТ930Б 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ930А 6* А
КТ930Б 6*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ930А 50 В ≤20* мА
КТ930Б 50 В ≤100*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ930А 5 В; 0.5 А 40*
КТ930Б 5 В; 0.5 А 50*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ930А 28 В ≤80 пФ
КТ930Б 28 В ≤170
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ930А ≥5** Ом, дБ
КТ930Б ≥3.5**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ930А 400 МГц ≥40** Дб, Ом, Вт
КТ930Б 400 МГц ≥40**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ930А 8 пс
КТ930Б 11

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.