Транзистор КТ932

Цоколевка транзистора КТ932
Цоколевка транзистора КТ932

 

Параметры транзистора КТ932
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ932А 2N3741, SML3511 *3, SML3515 *3, BD818 *3, KD338 *1, ММ5005 *3
КТ932Б BD132, SDT3510 *3, SDT3514 *1, SDT3506 *1, CEN-U55 *3, CEN-U55N *3, SDT3579 *1, 2SA755 *1
КТ932В 2N4898, ВС460-4 *1, ВС460-6 *1, BD518 *3, 2SA634 *3
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ932А 50 °C 20* Вт
КТ932Б 50 °C 20*
КТ932В 50 °C 20*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ932А — ≥40 МГц
КТ932Б — ≥60
КТ932В — ≥40
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ932А — 80 В
КТ932Б — 60
КТ932В — 40
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ932А — 4.5 В
КТ932Б — 4.5
КТ932В — 4.5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ932А — 2 А
КТ932Б — 2
КТ932В — 2
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ932А 80 В ≤1.5* мА
КТ932Б 60 В ≤1.5*
КТ932В 40 В ≤1.5*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ932А 3 В; 1.5 А ≥15*
КТ932Б 3 В; 1.5 А ≥30*
КТ932В 3 В; 1.5 А ≥40*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ932А 20 В ≤300 пФ
КТ932Б 20 В ≤300
КТ932В 20 В ≤300
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ932А — ≤1 Ом, дБ
КТ932Б — ≤1
КТ932В — ≤1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ932А — — Дб, Ом, Вт
КТ932Б — —
КТ932В — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ932А — — пс
КТ932Б — —
КТ932В — —

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.