Транзистор КТ934

Цоколевка транзистора КТ934
Цоколевка транзистора КТ934

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности класса С, в том числе при амплитудной модуляции в умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 100 — 400 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами и монтажным винтом. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 4,5 г.

 

Параметры транзистора КТ934
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ934А С3-28, 2N6202, 2SC1021
КТ934Б С12-28, 2N6203, BLY22
КТ934В С25-28, 2N6204, BLY92A
КТ934Г 2N5589
КТ934Д 2N5590
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ934А 7.5* Вт
КТ934Б 15*
КТ934В 30*
КТ934Г 15*
КТ934Д 30*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ934А ≥500 МГц
КТ934Б ≥500
КТ934В ≥500
КТ934Г ≥450
КТ934Д ≥450
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ934А 0.01к 60* В
КТ934Б 0.01к 60*
КТ934В 0.01к 60*
КТ934Г 0.01к 60*
КТ934Д 0.01к 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ934А 4 В
КТ934Б 4
КТ934В 4
КТ934Г 4
КТ934Д 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ934А 0.5 А
КТ934Б 1
КТ934В 2
КТ934Г 1
КТ934Д 2
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ934А 60 В ≤7.5* мА
КТ934Б 60 В ≤15*
КТ934В 60 В ≤30*
КТ934Г 60 В ≤15*
КТ934Д 60 В ≤30*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ934А 5 В; 0.1 А 50*
КТ934Б 5 В; 0.15 А 50*
КТ934В 5 В; 0.25 А 50*
КТ934Г
КТ934Д
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ934А 28 В ≤9 пФ
КТ934Б 28 В ≤16
КТ934В 28 В ≤32
КТ934Г 28 В ≤16
КТ934Д 28 В ≤32
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ934А 2; ≥6** Ом, дБ
КТ934Б 1; ≥4**
КТ934В 0.5; ≥3**
КТ934Г ≥3.3**
КТ934Д ≥2.4**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ934А 400 МГц ≥3** Дб, Ом, Вт
КТ934Б 400 МГц ≥12**
КТ934В 400 МГц ≥25**
КТ934Г 400 МГц ≥10**
КТ934Д 400 МГц ≥20**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ934А ≤20 пс
КТ934Б ≤20
КТ934В ≤20
КТ934Г ≤25
КТ934Д ≤25

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.