Транзистор КТ935

Цоколевка транзистора КТ935
Цоколевка транзистора КТ935

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиальные меза-планарные n-p-n переключательные высокочастотные мощные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных схемах. Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе Вывод эмиттера маркируется условной точкой на корпусе. Масса транзистора не более 20 г

 

Параметры транзистора КТ935
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ935А BDU53
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ935А 50 °C 60* Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ935А ≥51 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ935А 0.01к 80* В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ935А 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ935А 20(30*) А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ935А 80 В ≤30* мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ935А 4 В; 15 А 20…100*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ935А 10 В ≤800 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ935А ≤0.066 Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ935А Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ935А ≤700* пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.