Транзистор КТ940

Цоколевка транзистора КТ940
Цоколевка транзистора КТ940

Цоколевка транзистора КТ940-1
Цоколевка транзистора КТ940-1

Цоколевка транзистора КТ940-5
Цоколевка транзистора КТ940-5

Цоколевка транзистора КТ940-9
Цоколевка транзистора КТ940-9

 

Описание

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n высокочастотные усилительные мощные. Предназначены для работы в выходных каскадах видеоусилителе телевизионных приемников. Масса транзисторов КТ940А, КТ940Б, КТ940В не более 0,7 г.

 

Параметры транзистора КТ940
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ940А BF298, 2N3440S, KSC2258A *2, BFR59 *1, 2SC2371 *2, STZTA42 *3, D40N5 *1, BF259 *1, 2SC2611
КТ940Б BF458, BF459, BFR58 *1, BF258 *1, KSC2258 *2
КТ940В BF297, BF157, BD457, BFR57 *1, BF257 *1, BFT47 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ940А 1.2(10*) Вт
КТ940Б 1.2(10*)
КТ940В 1.2(10*)
КТ940А1 0.5, 10*
 КТ940Б1 0.5, 10*
 КТ940В1 0.5, 10*
 КТ940А-5 10*
 КТ940Б-5 10*
 КТ940В-5 10*
 КТ940А9 1.2
 КТ940Б9 1.2
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ940А ≥90 МГц
КТ940Б ≥90
КТ940В ≥90
КТ940А1 ≥90
 КТ940Б1 ≥90
 КТ940В1 ≥90
 КТ940А-5 ≥90
 КТ940Б-5 ≥90
 КТ940В-5 ≥90
 КТ940А9 ≥90
 КТ940Б9 ≥90
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ940А 10к 300* В
КТ940Б 10к 250*
КТ940В 10к 160*
КТ940А1 300
 КТ940Б1 250
 КТ940В1 160
 КТ940А-5 300
 КТ940Б-5 250
 КТ940В-5 160
 КТ940А9 300
 КТ940Б9 250
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ940А 5 В
КТ940Б 5
КТ940В 5
КТ940А1 5
 КТ940Б1 5
 КТ940В1 5
 КТ940А-5 5
 КТ940Б-5 5
 КТ940В-5 5
 КТ940А9 5
 КТ940Б9 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ940А 0.1(0.3*) А
КТ940Б 0.1(0.3*)
КТ940В 0.1(0.3*)
КТ940А1 0.1(0.3*)
 КТ940Б1 0.1(0.3*)
 КТ940В1 0.1(0.3*)
 КТ940А-5 0.1(0.3*)
 КТ940Б-5 0.1(0.3*)
 КТ940В-5 0.1(0.3*)
 КТ940А9 0.1
 КТ940Б9 0.1
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ940А 250 В ≤0.05 мА
КТ940Б 200 В ≤0.05
КТ940В 100 В ≤0.05
КТ940А1 250 В ≤0.05
 КТ940Б1 200 В ≤0.05
 КТ940В1 100 В ≤0.05
 КТ940А-5 250 В ≤50
 КТ940Б-5 200 В ≤50
 КТ940В-5 100 В ≤50
 КТ940А9
 КТ940Б9
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ940А 10 В; 30 мА ≥25*
КТ940Б 10 В; 30 мА ≥25*
КТ940В 10 В; 30 мА ≥25*
КТ940А1 10 В; 30 мА ≥25*
 КТ940Б1 10 В; 30 мА ≥25*
 КТ940В1 10 В; 30 мА ≥25*
 КТ940А-5 10 В; 30 мА ≥25*
 КТ940Б-5 10 В; 30 мА ≥25*
 КТ940В-5 10 В; 30 мА ≥25*
 КТ940А9 10 В; 30 мА ≥25*
 КТ940Б9 10 В; 30 мА ≥25*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ940А 30 В ≤4.2 пФ
КТ940Б 30 В ≤4.2
КТ940В 30 В ≤4.2
КТ940А1 30 В ≤4.2
 КТ940Б1 30 В ≤4.2
 КТ940В1 30 В ≤4.2
 КТ940А-5
 КТ940Б-5
 КТ940В-5
 КТ940А9 30 В ≤4.2
 КТ940Б9 30 В ≤4.2
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ940А ≤0.8 Ом, дБ
КТ940Б ≤0.8
КТ940В ≤0.8
КТ940А1 ≤0.3
 КТ940Б1 ≤0.3
 КТ940В1 ≤0.3
 КТ940А-5 ≤0.25
 КТ940Б-5 ≤0.25
 КТ940В-5 ≤0.25
 КТ940А9 ≤0.8
 КТ940Б9 ≤0.8
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ940А ≤33 Дб, Ом, Вт
КТ940Б ≤33
КТ940В ≤33
КТ940А1 ≤3.3
 КТ940Б1 ≤3.3
 КТ940В1 ≤3.3
 КТ940А-5 ≤40
 КТ940Б-5 ≤40
 КТ940В-5 ≤40
 КТ940А9 ≤3.3
 КТ940Б9 ≤3.3
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ940А пс
КТ940Б
КТ940В
КТ940А1
 КТ940Б1
 КТ940В1
 КТ940А-5
 КТ940Б-5  —
 КТ940В-5
 КТ940А9
 КТ940Б9

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.