Транзистор КТ945

Цоколевка транзистора КТ945
Цоколевка транзистора КТ945

 

Параметры транзистора КТ945
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ945А BDY90, 2SC519A
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ945А 50 °C 50* Вт
КТ945Б 50 °C 50*
КТ945В 50 °C 50*
КТ945Г 50 °C 50*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ945А ≥50 МГц
КТ945Б ≥50
КТ945В ≥50
КТ945Г ≥50
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ945А 10 Ом 150* В
КТ945Б 10 Ом 150*
КТ945В 10 Ом 150*
КТ945Г 10 Ом 150*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ945А 5 В
КТ945Б 5
КТ945В 5
КТ945Г 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ945А 15(25*) А
КТ945Б 15(25*)
КТ945В 10(25*)
КТ945Г 15(25*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ945А 150 В ≤25* мА
КТ945Б 150 В ≤25*
КТ945В 150 В ≤25*
КТ945Г 150 В ≤25*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ945А 7 В; 15 А 10…60*
КТ945Б 7 В; 15 А 10…60
КТ945В 7 В; 10 А 10…60
КТ945Г 7 В; 15 А 10…60
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ945А 30 В ≤200 пФ
КТ945Б 30 В ≤200
КТ945В 30 В ≤200
КТ945Г 30 В ≤200
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ945А ≤0.17 Ом, дБ
КТ945Б ≤0.17
КТ945В ≤0.25
КТ945Г ≤0.17
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ945А Дб, Ом, Вт
КТ945Б
КТ945В
КТ945Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ945А ≤1.1 мкс пс
КТ945Б ≤1.1 мкс
КТ945В ≤1.1 мкс
КТ945Г ≤1.1 мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.