Транзистор КТ956

Цоколевка транзисторов КТ956, КТ957
Цоколевка транзисторов КТ956, КТ957

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n высокочастотные генераторные. Предназначены для применения в линейных широкополосных. Усилителях мощности в диапазоне частот 1,5 — 30 МГц при напряжении питания 28 в. Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 15 г.

 

Параметры транзистора КТ956
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ956А S80-28
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ956А 100 °C 70** Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ956А ≥100 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ956А 0.01к 100* В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ956А 4 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ956А 15 А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ956А 100 В ≤80* мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ956А (5 В; 1 А) 10…80*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ956А 28 В ≤400 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ956А ≥20** Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ956А 30 МГц ≥100** Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ956А пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.