Транзистор КТ962

Цоколевка транзистора КТ962
Цоколевка транзистора КТ962

 

Параметры транзистора КТ962
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ962А DM10-28
КТ962Б DM20-28
КТ962В DM40-28
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ962А 40 °C 17** Вт
КТ962Б 40 °C 27**
КТ962В 40 °C 66**
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ962А ≥750 МГц
КТ962Б ≥750
КТ962В ≥600
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ962А 50 В
КТ962Б 50
КТ962В 50
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ962А 4 В
КТ962Б 4
КТ962В 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ962А 1.5 А
КТ962Б 2.5
КТ962В 4
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ962А 50 В ≤20 мА
КТ962Б 50 В ≤20
КТ962В 50 В ≤30
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ962А
КТ962Б
КТ962В
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ962А 28 В ≤20 пФ
КТ962Б 28 В ≤35
КТ962В 28 В ≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ962А ≥4** Ом, дБ
КТ962Б ≥4**
КТ962В ≥4**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ962А 1 ГГц ≥10** Дб, Ом, Вт
КТ962Б 1 ГГц ≥20**
КТ962В 1 ГГц ≥40**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ962А ≤15 пс
КТ962Б ≤14
КТ962В ≤11

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.