Транзистор КТ972

Цоколевка транзистора КТ972
Цоколевка транзистора КТ972

 

Параметры транзистора КТ972
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ972А BD877
КТ972Б BD875, BD477
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ972А 8* Вт
КТ972Б 8*
КТ972В 8*
КТ972Г 8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ972А ≥200 МГц
КТ972Б ≥200
КТ972В ≥200
КТ972Г ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ972А 60* В
КТ972Б 45*
КТ972В 60*
КТ972Г 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ972А 5 В
КТ972Б 5
КТ972В 5
КТ972Г 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ972А 4* А
КТ972Б 4*
КТ972В 2
КТ972Г 2
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ972А 60 В ≤1* мА
КТ972Б 45 В ≤1*
КТ972В 60 В ≤1*
КТ972Г 60 В ≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ972А 3 В; 1 А ≥750*
КТ972Б 3 В; 1 А ≥750*
КТ972В 3 В; 1 А 750…5000
КТ972Г 3 В; 1 А 750…5000
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ972А ≤3 пФ
КТ972Б ≤3
КТ972В ≤3
КТ972Г ≤1.9
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ972А Ом, дБ
КТ972Б
КТ972В
КТ972Г
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ972А Дб, Ом, Вт
КТ972Б
КТ972В
КТ972Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ972А ≤200* пс
КТ972Б ≤200*
КТ972В ≤200*
КТ972Г ≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.