Транзисторная сборка КТС613

Цоколевка транзисторной сборки КТС613
Цоколевка транзисторной сборки КТС613
Обозначение выводов:
1, 5, 8, 12 — база
2, 6, 9, 13 — коллектор
3,7, 10, 14 — эмиттер
15 — корпус
4,11-свободный

 

Описание

Транзисторные матрицы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п переключательные. Предназначены для быстродействующих импульсных схем. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Матрица содержит четыре изолированные транзисторные структуры. Масса матрицы не более 4 г

 

Параметры транзисторной сборки КТС613
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТС613А MQ2218
КТС613Б MQ2218A
КТС613В MQ2218
КТС613Г MQ2218
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТС613А 50°C 0.8 Вт
КТС613Б 50°C 0.8
КТС613В 50°C 0.8
КТС613Г 50°C 0.8
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТС613А ≥200 МГц
КТС613Б ≥200
КТС613В ≥200
КТС613Г ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТС613А 60 В
КТС613Б 60
КТС613В 40
КТС613Г 40
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТС613А 4 В
КТС613Б 4
КТС613В 4
КТС613Г 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТС613А 0.4(0.8*) А
КТС613Б 0.4(0.8*)
КТС613В 0.4(0.8*)
КТС613Г 0.4(0.8*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТС613А 60 В ≤8 мкА
КТС613Б 60 В ≤8
КТС613В 40 В ≤8
КТС613Г 40 В ≤8
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТС613А 5 В; 0.2 А 25…100*
КТС613Б 5 В; 0.2 А 40…200*
КТС613В 5 В; 0.2 А 20…120*
КТС613Г 5 В; 0.2 А 50…300*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТС613А 10 В ≤15 пФ
КТС613Б 10 В ≤15
КТС613В 10 В ≤15
КТС613Г 10 В ≤15
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТС613А ≤2.5 Ом, дБ
КТС613Б ≤2.5
КТС613В ≤2.5
КТС613Г ≤2.5
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТС613А Дб, Ом, Вт
КТС613Б
КТС613В
КТС613Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТС613А ≤100* пс
КТС613Б ≤100*
КТС613В ≤100*
КТС613Г ≤100*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.