MD1803DFX — кремниевый NPN транзистор

Корпус транзистора MD1803DFX и его обозначение на схеме
Корпус транзистора MD1803DFX и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с большими диагоналями ЭЛТ.

Особенности:

  • Новое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя.
  • Широкая область безопасной работы.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база Ie = 0 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер Ib = 0 700 В
Vebo Напряжение эмиттер-база Ic = 0 В 7 В
Ic Ток коллектора 10 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) 15 А
Ib Ток базы 5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 57 Вт
Ices Обратный ток коллектора Vce = 1500 В, Veb = 0 В 200 мкА
Iebo Обратный ток эмиттера Vbe = 5 В, Ic = 0 10 мкА
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5,0 A, Ib = 1,25 А 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 5,0 A, Ib = 1,25 А 1,2 В
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 5,0 А 5 8
Tf Время спада импульса индуктивная нагрузка 0,35 мкс