| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | МГТ108А | — | 2N130 | ||
| МГТ108Б | — | NKT73 | |||
| МГТ108В | — | 2N132 | |||
| МГТ108Г | — | АС 170, АС 171 | |||
| МГТ108Д | — | АС150 | |||
| Структура | — | p-n-p | мВт | ||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | А | — | 75 | |
| Б | — | 75 | |||
| В | — | 75 | |||
| Г | — | 75 | |||
| Д | — | 75 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | А | — | ≥0.5* | МГц |
| Б | — | ≥1* | |||
| В | — | ≥1* | |||
| Г | — | ≥1* | |||
| Д | — | ≥1* | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | А | 18 имп. | 10 | В |
| Б | 18 имп. | 10 | |||
| В | 18 имп. | 10 | |||
| Г | 18 имп. | 10 | |||
| Д | 18 имп. | 10 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | А | — | 5 | В |
| Б | — | 5 | |||
| В | — | 5 | |||
| Г | — | 5 | |||
| Д | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | А | — | 50 | мА |
| Б | — | 50 | |||
| В | — | 50 | |||
| Г | — | 50 | |||
| Д | — | 50 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | А | 5 В | ≤10 | мкА |
| Б | 5 В | ≤10 | |||
| В | 5 В | ≤10 | |||
| Г | 5 В | ≤10 | |||
| Д | 5 В | ≤10 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | А | 6 В; 1 мА | 25…50 | |
| Б | 5 В; 1 мА | 35…80 | |||
| В | 5 В; 1 мА | 60…130 | |||
| Г | 5 В; 1 мА | 110…250 | |||
| Д | 5 В; 1 мА | 30…120 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | А | — | — | пФ |
| Б | — | — | |||
| В | — | — | |||
| Г | — | — | |||
| Д | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | А | — | — | Ом |
| Б | — | — | |||
| В | — | — | |||
| Г | — | — | |||
| Д | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| Б | — | — | |||
| В | — | — | |||
| Г | — | — | |||
| Д | 1 кГц | ≤6 | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | А | — | ≤5000 | пс |
| Б | — | ≤5000 | |||
| В | — | ≤5000 | |||
| Г | — | ≤5000 | |||
| Д | — | ≤5000 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.