Транзистор МГТ108

Цоколевка транзистора МГТ108
Цоколевка транзистора МГТ108

 

Параметры транзистора
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог МГТ108А 2N130
МГТ108Б NKT73
МГТ108В 2N132
МГТ108Г АС 170, АС 171
МГТ108Д АС150
Структура  — p-n-p мВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max А  — 75
Б  — 75
В  — 75
Г  — 75
Д  — 75
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max А ≥0.5* МГц
Б ≥1*
В ≥1*
Г ≥1*
Д ≥1*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. А 18 имп. 10 В
Б 18 имп. 10
В 18 имп. 10
Г 18 имп. 10
Д 18 имп. 10
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  А 5 В
Б 5
В 5
Г 5
Д 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max А 50 мА
Б 50
В 50
Г 50
Д 50
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO А 5 В ≤10 мкА
Б 5 В ≤10
В 5 В ≤10
Г 5 В ≤10
Д 5 В ≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э А  6 В; 1 мА 25…50
Б 5 В; 1 мА 35…80
В 5 В; 1 мА 60…130
Г 5 В; 1 мА 110…250
Д 5 В; 1 мА 30…120
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э А пФ
Б
В
Г
Д
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас А Ом
Б
В
Г
Д
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых А Дб, Ом, Вт
Б
В
Г
Д 1 кГц ≤6
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) А ≤5000 пс
Б ≤5000
В ≤5000
Г ≤5000
Д ≤5000

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.