Транзистор MJE13003

Кремниевый n-p-n эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и схем управления моторами и реле

Особенности

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Аналоги : BUJ101

 

Корпус TO-225AA
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора MJE13003
Цоколевка транзистора MJE13003
1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Коллектор

 

Предельно допустимые и основные электрические параметры
Обозначение Параметр Условия Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 400 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 9 В
Ic Ток коллектора постоянный 1.5 А
Ib Ток базы 0.75 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С 20 Вт
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 9 В, Ic = 0 А 1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ Vce = 2 В, Ic = 0.5 А 8 40
Vce = 2 В, Ic = 1 А 5 25
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0.5 А, Ib = 0.1 А 0.5 В
Ic = 1 А, Ib = 0.25 А 1 В
Ic = 1.5 А, Ib = 0.5 А 3 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 0.5 А, Ib = 0.1 А 1 В
Ic = 1 А, Ib = 0.25 А 1.2 В

 

Купит MJE13003
Купит MJE13003

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.