Транзистор MJE13009

Кремниевый n-p-n эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и схем управления моторами и реле

 

Особенности

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Аналоги: BUJ106A

 

Корпус TO-220AB
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора MJE13005
Цоколевка транзистора MJE13005, MJE13007. MJE13009
1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Коллектор

 

Предельно допустимые и основные электрические параметры
Обозначение Параметр Условия Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 400 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 9 В
Ic Ток коллектора постоянный 12 А
Icm Ток коллектора импульсный 24 А
Ib Ток базы 6 А
Ibm Ток базы импульсный 12 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С 100 Вт
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 9 В, Ic = 0 А 1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ Vce = 5 В, Ic = 5 А 8 40
Vce = 5 В, Ic = 8 А 6 30
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 А, Ib = 1 А 1 В
Ic = 8 А, Ib = 1.6 А 1.5 В
Ic = 12 А, Ib = 3 А 3 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 5 А, Ib = 1 А 1.2 В
Ic = 8 А, Ib = 1.6 А 1.6 В
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В,f = 0.1 МГц 180 пФ

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.