Транзистор П416

Цоколевка транзистора П416
Цоколевка транзистора П416

 

Параметры транзистора
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог П416 2N602
П416А 2N604
П416Б 2SA279
Структура  — p-n-p мВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max П416 100(360*)
П416А 100(360*)
П416Б 100(360*)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max П416 ≥40 МГц
П416А ≥60
П416Б ≥80
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. П416 12 В
П416А 12
П416Б 12
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  П416 3 В
П416А 3
П416Б 3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max П416 25(120*) мА
П416А 25(120*)
П416Б 25(120*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO П416 10 В ≤3 мкА
П416А 10 В ≤3
П416Б 10 В ≤3
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э П416 5 В; 5 мА 20…80
П416А 5 В; 5 мА 60…120
П416Б 5 В; 5 мА 90…250
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э П416 5 В ≤8 пФ
П416А 5 В ≤8
П416Б 5 В ≤8
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас П416 ≤40 Ом
П416А ≤40
П416Б ≤40
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых П416 Дб, Ом, Вт
П416А
П416Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) П416 ≤500; ≤1000* пс
П416А ≤500; ≤1000*
П416Б ≤500; ≤1000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.