S2000AFI — кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор

Корпус транзистора S2000AFI и его обозначение на схеме
Корпус транзистора S2000AFI и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный составной транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя.
  • Изолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база Ie = 0 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер Ib = 0 700 В
Vebo Напряжение эмиттер-база Ic = 0 В 10,0 В
Ic Ток коллектора 8,0 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) 15,0
Ib Ток базы 4 А
Ток базы импульсный (t≤5 мс) 6,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 50 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vce = 1500 В, Veb = 0 В 1,0 мА
Iebo Обратный ток эмиттера Vbe = 5 В, Ic = 0 100 мкА
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4,5 A, Ib = 2,0 А 1,0 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 4,5 A, Ib = 2,0 А 1,3 В
fT Граничная частота эффективного усиления Ic = 0,1 А 7 МГц
Tf Время спада импульса индуктивная нагрузка мкс