SGSF344 — кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор

Корпус транзистора SGSF344 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора SGSF344 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор для импульсных источников и выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя.
  • Неизолированный корпус.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vces Напряжение коллектор-эмиттер Vbe = 0 1200 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер Ib = 0 600 В
Vebo Напряжение эмиттер-база Ic = 0 В 7 В
Ic Ток коллектора 7,0 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) 12,0 А
Ib Ток базы 5,0 А
 Ibp Ток базы импульсный (t≤5 мс) 8,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 85 Вт
Ices Обратный ток коллектора Vcb = 1200 В, Veb = 0 В 200 мкА
Iceo Обратный ток коллектора Vce = 600 В, Ib = 0 2 мА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, Ic = 0 В 1,0 мА
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 3,5 A, Ib = 0,7 А 1,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 3,5 A, Ib = 0,7 А 1,5 В
Tf Время спада импульса индуктивная нагрузка 0,3 мкс