ST1803DHI — кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор

Корпус транзистора ST1803DHI и его обозначение на схеме
Корпус транзистора ST1803DHI и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Новое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя.
  • Изолированный корпус.
  • Широкая область безопасной работы.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 600 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 7 В
Ic Ток коллектора — — — 10,0 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) — — — 15,0 —
Ib Ток базы — — — 4,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 50 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 1500 В, Veb = 0 В — — 1,0 мА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 4 В, Ic = 0 В 130 — 400 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 4,5 А 4 — 9 —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4,0 A, Ib = 0,8 А — 3 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 4,0 A, Ib = 0,8 А — — 1,2 В
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде I = 5,0 А — 1,5 2 В
Tf Время спада импульса индуктивная нагрузка — 0,3 0,6 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.