ST2310FX — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора ST2310FX и его обозначение на схеме
Корпус транзистора ST2310FX и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Новое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя.
  • Изолированный корпус.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 600 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 7 В
Ic Ток коллектора 12,0 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) 25,0
Ib Ток базы 7,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 65 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 1500 В, Veb = 0 В 1,0 мА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 7 В, Ic = 0 В 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 7,0 А 6,5 9,5
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 7,0 A, Ib = 1,75 А 3 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 7,0 A, Ib = 1,75 А 1,1 В
Tf Время спада импульса индуктивная нагрузка 0,35 мкс