BU2508D — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора BU2508D и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BU2508D и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Vbe = 0 V 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) 700 В
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4,5 А, Ib = 1,12 А 1,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения 4,5 А
Ic Ток коллектора 8,0 А
Icm Ток коллектора, пиковое значение 15,0 А
Ib Ток базы 4 А
Ibm Ток базы, пиковое значение 6 А
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 125 Вт
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде I = 4,5 А 1,6 2,0 В
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, Ic = 4,5 A 5,5 7,5
Tf Время спада импульса Icm = 4,5 А, Ib = 1,1 0,4 0,6 мкс
Rbe Сопротивление резистора Rbe 33 Ом

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.