Микросхема TDA2003 — Усилитель звука

Микросхема TDA2003 дает возможность собрать простой усилитель звуковой частоты, при использовании минимального количества внешних компонентов. При этом она обеспечивает высокую нагрузочную способность по току (до 3.5 А) и очень низкие уровни гармоник и перекрестных помех. Безопасная работа обеспечивается защитой от короткого замыкания по постоянному и переменному току, тепловой защитой и отключением нагрузки при всплесках напряжения до 40 В.

 

Пятивыводной корпус TDA2003
Пятивыводной корпус TDA2003

Читать далее

TDA1085 — Регулятор оборотов коллекторного двигателя

Микросхема TDA1085 фирмы MOTOROLA (отечественный аналог — КС1027ХА4) представляет собой контроллер коллекторного электродвигателя (ЭД) переменного тока. Она включает в себя все необходимые управляющие узлы и элементы, обеспечивающие функционирование ЭД в различных режимах его работы (например, в режимах разгона и стабилизации выбранной скорости вращения).

 

Особенности

 

  • Внутренний преобразователь частоты в напряжение
  • Встроенный генератор разгона
  • Плавный пуск
  • Ограничение тока нагрузки
  • Цепь датчика тахогенератора
  • Прямое питание от источника переменного тока
  • Функция безопасного подключения двигателя

 

Исполнение в пластиковом корпусе CASE 648
Исполнение в пластиковом корпусе CASE 648

С буквой D в маркировке. Пластиковый корпус CASE 751B (SO–16)
С буквой D в маркировке. Пластиковый корпус CASE 751B (SO–16)

 

Готовый регулятор оборотов или все для его сборки вы можете заказать в нашем интернет-магазине

Готовый регулятор оборотов или все для его сборки вы можете заказать в нашем интернет-магазине

Читать далее

LT1083 — Положительный регулируемый стабилизатор

Микросхемы серии LT1083/LT1084/LT1085 — положительные регулируемые стабилизаторы с низким падением напряжения.

 

Особенности

 

  • Три вывода вместе с выходом управления
  • Выходной ток до до 3 А, 5 А или 7.5 А
  • Работа при пониженном напряжении
  • Гарантированное падение напряжения на всем диапазоне токов
  • Нестабильность выходного напряжения: 0.015 %
  • Нестабильность выходного напряжения по нагрузке: 0.1 %
  • 100% функциональная проверка теплового предела
  • Исполнение в трех — выводном пластиковом корпусе TO-220 или DD

Читать далее

Параметры биполярных транзисторов

 

Буквенное обозначение Параметр
Отечественное Международное
IКБО ICBO Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБО IEBO Обратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
IКЭO ICEO Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы.
IКЭR ICER Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
IКЭК ICES Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
IКЭV ICEV Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер.
IКЭX ICEX Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
IK max IC max Максимально допустимый постоянный ток коллектора.
 IЭ max IE max Максимально допустимый постоянный ток эмиттера.
  IБ max   IB max Максимально допустимый постоянный ток базы.
IК , и max ICM max Максимально допустимый импульсный ток коллектора.
IЭ , и max IEM max Максимально допустимый импульсный ток эмиттера.
IКР Критический ток биполярного транзистора.
UКБО проб. U(BR) CBO Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
UЭБО проб. U(BR) ЕBO Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
UКЭО проб. U(BR) CEO Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы.
UКЭR проб. U(BR) CER Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭK проб. U(BR) CES Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
UКЭV проб.  U(BR) CEV Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер.
UКЭХ проб.  U(BR) CEX Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер.
UКЭО гр  U(L) CEO Граничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
Uсмк Upt  Напряжение смыкания транзистора.
 UКЭ нас UCE sat Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и коллектора.
UБЭ нас UBE sat Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера.
UЭБ пл UEBfl Плавающее напряжение эмиттер-база — напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера.
UКБ max UCB max Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база.
UКЭ max UCE max Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер.
UЭБ max  UEB max Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
UКЭ, и max UCEM max Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер.
UКБ, и max UCBM max Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база.
UЭБ, и max UEBM max Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база.
P Ptot Постоянная рассеиваемая мощность транзистора.
 Pср  PAV Средняя рассеиваемая мощность транзистора.
Pи PM Импульсная рассеиваемая мощность транзистора.
PK  PC Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
PK, τ max Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
Pвых Pout  Выходная мощность транзистора.
Pи max PM max Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
PK max PC max Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
PK ср max  — Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
r rbb , rb Сопротивление базы.
 rКЭ нас rCE sat Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
 с11э, с11б c11e, c11b Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 с22э, с22б c22e, c22b Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
cк cc Емкость коллекторного перехода.
cэ c Емкость эмиттерного перехода.
fгр  fT Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером.
fmax fmax Максимальная частота генерации.
 fh21э , fh21б fh21e, fhfe ;fh21b, fhfb Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой.
tвкл ton Время включения.
 tвыкл toff  Время выключения.
tзд td Время задержки.
 tнр tr Время нарастания.
tрас t Время рассасывания.
 tсп t Время спада.
 h11э, h11б h11e, h11b;hie, hib Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 h21э, h21б h21e, h21b;hfe, hfb Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 h12э, h12б h12e, h12b;hre, hrb Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h22э, h22б h22e, h22b;hoe, hob Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
|h21э| |h21e| Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте.
 h11Э h11E, hIE Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы с общим эмиттером.
  h21Э  H11E, HFE Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала.
 Y21Э Y21E  Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером.
  Y11э, Y11б Y11e, Y11b;Yie, Yib Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 Y12э, Y12б Y12e, Y12b;Yre, Yrb Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y21э, Y21б Y21e, Y21b;Yfe, Yfb Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y22э, Y22б Y22e, Y22b;Yoe, Yob Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
S11э, S11б, S11к S11e, S11b, S11c; Sie, Sib, Sic Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S12э, S12б, S12к S12e, S12b, S12c; Sre, Srb, Src Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S22э, S22б, S22к S22e, S22b, S22c; Soe, Sob, Soc Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S21э, S21б, S21к S21e, S21b, S21c;   Sfe, Sfb, Sfc Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
fse, fsb, fsc Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S21е = 1,
S21b = 1, S21c = 1.
 Ку, р Gp Коэффициент усиления мощности.
GA, Ga Номинальный коэффициент усиления по мощности.
Кш F Коэффициент шума транзистора.
τк (r’б Ск)  τc (r’bb Сc) Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
Tокр TA, Tamb Температура окружающей среды.
Tк Tc , Tcase Температура корпуса.
Tп Tj Температура перехода.
Rт, п-с Rthja Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
Rт, п-к Rthjс Тепловое сопротивление от перехода к корпусу.
Rт, к-с Rthса Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
 τт, п-с τthja Тепловая постоянная времени переход-окружающая среда.
τт, п-к τthjс Тепловая постоянная времени переход-корпус.
τт, к-с τthса Тепловая постоянная времени корпус-окружающая среда.

TDA7377 — Четырехканальный усилитель

Корпус

Описание

  • ВЫСОКАЯ ВЫХОДНАЯ МОЩНОСТЬ (возможные варианты включения):

2 x35 Вт макс./4 Ом
2 x30 Вт/4 Ом по стандарту EIAJ
2 x30 Вт/4 Ом по стандарту EIAJ
2 x 20 Вт/4 Ом при 14.4 В, 1 кГц, 10%
4 x 6 Вт/4 Ом при 14.4 В, 1 кГц, 10%
4 x 10 Вт/2 Ом при 14.4 В, 1 кГц, 10%

Читать далее

Мощные биполярные транзисторы. Справочник

 

В справочнике приведены электрические характеристики мощных биполярных транзисторов, имеющих высокую скорость переключения. Данные приборы применяются в импульсных источниках питания различного назначения, в промышленном оборудовании, в бытовой и профессиональной видео и аудиотехнике. В книге представлены изделия следующих ведущих производителей полупроводниковых приборов: FAIRCHILD, HITACHI, MOTOROLA (ON SEMICONDUCTOR), PANASONIC, PHILIPS, SANKEN, SAMSUNG, SANYO, SHINDENGEN, ST-MICROELECTRONICS, TOSHIBA и ZETEX. Таблица аналогов полупроводниковых приборов составлена на основании руководства Master Replacement Guide. Справочник рассчитан на специалистов, занимающихся обслуживанием и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры, а также на радиолюбителей.

Читать далее

ATmega328 — Микроконтроллер 8-Бит, 32 кБ флеш памяти

ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P

 

Особенности

 

  • Высокая производительность, низкое энергопотребление
  • Улучшенная RISC-Архитектура

— 131 мощная команда — большинство которых выполняется за один такт ЦПУ

— 32 x 8 регистра общего назначения

— Полностью статическая операция

— Производительность до 20 МИЛЛИОНОВ КОМАНД В СЕКУНДУ на 20 МГЦ ЦПУ

— Внутрикристальный 2-цикловый множитель Читать далее

LM324 — Четырехканальный операционный усилитель

LM124, LM224, LM324

 

Особенности

 

  • Широкая полоса пропускания: 1.3 МГц
  • Большое усиление по постоянному току: 100 дБ
  • Широкий диапазон напряжения питания:
  • Для однополярного питания: 0т +3 В до +30 В
  • Для двухполярного питания: от  ±1.5 В до ±15 В
  • Диапазон синфазного напряжения включает землю
  • Большая амплитуда выходного напряжения: от 0 В до VCC -1.5 В
  • Выходная мощность подходит для работы от батареи

 

Купить LM324
Купить LM324

 

Описание

Микросхемы серии LM124, LM224 и LM324 состоят из четырех операционных усилителей с высоким коэффициентом усиления, которые работают от одного источника питания. Областью их применения являются усилители-преобразователи, усилители о все обычные схемы применения ОУ , которые можно подключить к одному источнику питания.

 

Тип корпуса DIP14
Тип корпуса DIP14

Тип корпуса SO-14
Тип корпуса SO-14

Тип корпуса TSSOP-14
Тип корпуса TSSOP-14

Тип корпуса QFN16 3x3
Тип корпуса QFN16 3×3

Читать далее

Common Mode Voltage — Синфазное напряжение

Common Mode Voltage в переводе с англ. —  синфазное входное напряжение (операционного усилителя). Напряжение между любым из входов операционного усилителя и общим выводом, совпадающее по амплитуде и фазе с напряжением между другим входом и общим выводом.

Input common mode voltage range в переводе с англ. — диапазон синфазного входного напряжения (дифференциального усилителя). Интервал значений синфазного входного напряжения, в котором параметры дифференциального усилителя лежат в заданных пределах.

Common Mode Rejection (CMR) в переводе с англ. — коэффициент ослабления синфазного входного напряжения (операционного усилителя). Коэффициент, равный отношению приращений синфазных входных напряжений к входному напряжению, вызывающих одно и то же приращение выходного напряжения дифференциального операционного усилителя.

Расчет активного фильтра низких частот

Расчет значений компонентов для схемы активного фильтра низких частот.Частота среза в Гц
Входное сопротивление в кОм

Фильтр низких частот первого порядка
Фильтр низких частот первого порядка

На схеме показан активный фильтр низких частот. Он состоит из RC-фильтра низких частот, подключенного ко входу неинвертирующего операционного усилителя (ОУ). Усилитель подключен как повторитель напряжения с коэффициентом усиления по постоянному току равному единице  Av = +1. Читать далее