IRF3205 — силовой МОП-транзистор HEXFET®

IRF3205 - силовой МОП-транзистор HEXFET®
  • Передовая технология процесса изготовления.
  • Ультра низкое сопротивление в открытом состоянии.
  • Динамическое значение dv/dt.
  • Рабочая температура 175 °C.
  • Быстрое переключение.
  • Полностью нормированные лавинные параметры

Описание

Передовые силовые полевые транзисторы HEXFET® от InternationalRectifier производятся по современным технологиям для достижения крайне низкого сопротивления в открытом состоянии на всей области кристалла. Это преимущество, в сочетании с быстрой скоростью переключения и надежностью устройства, которые хорошо известны для МОП-транзисторов HEXFET, дает проектировщику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разнообразных сферах.

Корпус TO-220 универсален для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому распространению в производстве.

Читать далее «IRF3205 — силовой МОП-транзистор HEXFET®»