IRF3205 — силовой МОП-транзистор HEXFET®

IRF3205 - силовой МОП-транзистор HEXFET®
  • Передовая технология процесса изготовления.
  • Ультра низкое сопротивление в открытом состоянии.
  • Динамическое значение dv/dt.
  • Рабочая температура 175 °C.
  • Быстрое переключение.
  • Полностью нормированные лавинные параметры

Описание

Передовые силовые полевые транзисторы HEXFET® от InternationalRectifier производятся по современным технологиям для достижения крайне низкого сопротивления в открытом состоянии на всей области кристалла. Это преимущество, в сочетании с быстрой скоростью переключения и надежностью устройства, которые хорошо известны для МОП-транзисторов HEXFET, дает проектировщику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разнообразных сферах.

Корпус TO-220 универсален для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому распространению в производстве.

 

 
Абсолютные максимальные значения
  Параметры Макс. Единицы
ID при Tc = 25 °C Непрерывный ток стока, при VGS = 10 В 110 5  А
 ID при Tc = 100 °C  Непрерывный ток стока, при VGS = 10 В  80
 IDM  Импульсный ток 1  390
 PD при Tc = 25 °C  Рассеиваемая мощность 200 Вт
  Линейный Понижающий Коэффициент 1,3 Вт/°C
VGS  Напряжение затвор-сток ±20 В
IAR Лавинный ток 1 62 А
EAR  Энергия повторяющегося лавинного импульса 1 20 мДж
 dV/dt Импульс на восстанавливающемся диоде dV/dt 3 5,0 В/нс
 TJ, TSTG Температура перехода и температура хранения  -55 до 175  °C
  Температура припоя в течении 10 секунд 300 (1,6 мм от корпуса)
   Момент затяжки болт М3 1.1 Н·м
 
Тепловое сопротивление
Обозначение Параметры Тип. Макс. Единицы
RthJC  Кристалл -корпус  — 0,75  
 Rthcs Корпус радиатора с плоской смазанной поверхностью 0,50  
 RthJA Кристалл — окружающая среда 62 °C/Вт
 
Электрические характеристики при TJ = 25 °C (если не указаны другие)
  Параметры Мин. Тип. Макс. Единицы Условия
V(BR)DSS Напряжение пробоя сток-исток 55 В VGS = 0 В, ID = 250 мкА
ΔV(BR)DSS/ΔTJ Напряжение пробоя температурный коэффициент 0,057 В/°C  относительно 25 °C ID = 1 мА
RDS(on)  Статическое сопротивление сток-исток  —  — 8,0 мОм VGS = 10 В, ID = 62 А 4
VGS(th)  Пороговое напряжение 2,0 4,0 В VDS = VGS,  ID = 250 мкА
gFS Крутизна характеристики  44 С VDS = 25 В,  ID = 62 А 4
 IDSS Ток утечки сток-исток  — 25 мкА  VDS = 55 В, VGS = 0 В
    250  VDS = 44 В, VGS = 0 В, TJ = 150 °C
 IGSS Прямая утечка от затвора к истоку  —  100 нА  VGS = 20 В
Обратная утечка от затвора к истоку  —  -100  VGS = -20 В
 Qg Суммарный Заряд Затвора  — 146 нКл   ID = 62 А
VDS = 44 В
 VGS = 10 В, см. рис. 6 и 13
 Qgs Заряд между затвором и истоком 35
 Qgd Заряд между затвором и стоком (заряд Миллера) 54
td(on) Время задержки включения 14 нс VDD = 28 В
  ID = 62 А
RG = 4,5 Ом
 VGS = 10 В, см. рис. 10 4
tr Время нарастания 101
td(off) Время задержки выключения 50
tf Время спада 65
LD Внутренняя Индуктивность Стока 4,5 нГн
Между свинцом, 6 мм (0,25 дюйма) от упаковки и центром контакта
Между точкой припоя, 6 мм (0,25 дюйма) от корпуса и центром контакта
Ls Внутренняя Индуктивность Истока 7,5
 Ciss Входная емкость  — 3247  — пФ  VGS = 0 В
Coss Выходная емкость 781 VDS = 25 В
Crss Проходная емкость 211 ƒ = 1.0 МГц см. рис 5
EAS Лавинная энергия одиночного импульса 1050 6 264 7 мДж IAS = 62 А, L = 138 мкГн
Номинальные параметры и характеристики исток-сток
  Параметр Min. Typ. Max. Ед. изм. Условия
Is Непрерывный ток истока (через паразитный диод) 110 A Символ MOSFET, показывающий встроенный обратный диод образованный p-n переходом.
Ism Импульсный ток стока (через паразитный диод)1 390
Vsd Прямое напряжение на диоде 1.3 В Tj = 25 °C, Is = 62 A, VGS = 0 В4
trr Время обратного восстановления 69 104 нс

Tj = 25°C, If = 62A di/dt = 100A/мкс 4

Qrr Заряд обратного восстановления 143 215 нКл
ton Время включения в прямом направлении Собственное время включения пренебрежимо мало (время включения определяет значение LS+LD)

Примечание:

1 — Повторяющееся значение; ширина импульса ограничена макс. температурой перехода. (См. Рисунок 11).

2 — Начало TJ = 25 °C, L = 138 мкГн, RG = 25 Ом, IAS = 62 А (См. рис. 12).

3 — ISD ≤ 62 А, di/dt ≤ 207 А/мкс, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 175 °C.

4 — Ширина импульса ≤ 400 мкс; коэффициент заполнения ≤ 2%.

5 — Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуре перехода. Ограничение по току для данного типа корпуса — 75A.

6 — Это типичное значение при разрушении устройства и представляет собой выход за пределы номинальных значений.

7 — Это расчетное значение ограниченное TJ = 175 °C.

Номинальные выходные характеристики при температуре перехода 25 °C
Рис. 1 Номинальные выходные характеристики при температуре перехода 25 °C
Номинальные переходные характеристики
Рис. 3 Номинальные переходные характеристики
Номинальная емкость от напряжения сток-исток
Рис. 5 Номинальная емкость от напряжения сток-исток
Рис. 7 Номинальное значение прямого падения напряжения на паразитном диоде
Максимальный ток стока от температуры корпуса
Рис. 9 Максимальный ток стока от температуры корпуса
Номинальные выходные характеристики при температуре перехода 175 °C
Рис. 2 Номинальные выходные характеристики при температуре перехода 175 °C
Нормализованное сопротивление канала в открытом состоянии от температуры
Рис. 4 Нормализованное сопротивление канала в открытом состоянии от температуры
Номинальное значение заряда затвора от напряжения затвор-исток
Рис. 6 Номинальное значение заряда затвора от напряжения затвор-исток
Рис. 8 Максимальная безопасная рабочая область
хема проверки времени переключения (ширина импульса <= 1 мкс, коэффициент заполнения <= 0.1 %)
Рис. 10a Схема проверки времени переключения (ширина импульса <= 1 мкс, коэффициент заполнения <= 0.1 %)
Рис. 10b Диаграмма времени переключения
Рис. 11 Максимально эффективное переходное тепловое сопротивление, кристалл — корпус
Рис. 12а Схема проверки на защелкивание
Рис. 12b Форма сигнала в схеме проверки на защелкивание
Диаграмма основного заряда затвора
Максимальная лавинная энергия от тока стока
Рис. 12c Максимальная лавинная энергия от тока стока
Рис. 13b Схема проверки заряда затвора

Рис. 14.1 Схема проверки скорости восстановления обратного диода

Соображения По Компоновке Схемы

  • Низкая паразитная индуктивность
  • Земляной полигон
  • Трансформатор с низким током утечки
  • dv/dt управляется значением RG
  • Драйвер того же типа, что и D.U.T.
  • ISD управляется коэффициентом заполнения «D»
  • D.U.T. — Тестируемое устройство
Рис. 14.2 Временные диаграммы для N-канального HEXFETS
VGS = 5V для устройств с логическим уровнем
Размеры корпуса (TO-220AB) в мм(дюйм) и распиновка. 1- затвор, 2 - сток, 3 - исток, 4 - сток
Размеры корпуса (TO-220AB) в мм(дюйм) и распиновка. 1- затвор, 2 — сток, 3 — исток, 4 — сток
Маркировка (логотип, код сборки, парт номер, дата производства — год и неделя)

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Добавить комментарий

Имя *
Email *
Сайт