Год: 2020

AMS1117 — Стабилизатор с малым падением напряжения и выходным током 1 А

5 комментариев

Особенности

  • Регулируемое выходное напряжение или фиксированные уровни — 1.5 В, 1.8 В, 2.5 В, 2.85 В, 3.3 В и 5.0 В
  • Выходной ток 1 А
  • Работа при разнице напряжений в 1 В
  • Нестабильность выходного напряжения: 0.2 % от максимума
  • Нестабильность выходного напряжения под нагрузкой: 0.4 % от максимума
  • Корпуса SOT-223, TO-252 и SO-8

Применение

  • Высокоэффективные линейные стабилизаторы
  • Пост регуляторы для блоков коммутации
  • Линейные стабилизаторы от 5 до 3.3 В
  • Зарядные устройства
  • Активные терминаторы SCSI
  • Управление питанием для ноутбука
  • Устройства с питанием от батарей
Читать далее «AMS1117 — Стабилизатор с малым падением напряжения и выходным током 1 А» →

IRF3205 — силовой МОП-транзистор HEXFET®

Оставить комментарий
IRF3205 - силовой МОП-транзистор HEXFET®
  • Передовая технология процесса изготовления.
  • Ультра низкое сопротивление в открытом состоянии.
  • Динамическое значение dv/dt.
  • Рабочая температура 175 °C.
  • Быстрое переключение.
  • Полностью нормированные лавинные параметры

Описание

Передовые силовые полевые транзисторы HEXFET® от InternationalRectifier производятся по современным технологиям для достижения крайне низкого сопротивления в открытом состоянии на всей области кристалла. Это преимущество, в сочетании с быстрой скоростью переключения и надежностью устройства, которые хорошо известны для МОП-транзисторов HEXFET, дает проектировщику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разнообразных сферах.

Корпус TO-220 универсален для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому распространению в производстве.

Читать далее «IRF3205 — силовой МОП-транзистор HEXFET®» →