К174УН4А, К174УН4Б — усилители мощности звуковой частоты

 

Типовая схема включения j u ^ ! ! - ИМС К174УН4 в качестве усилителя мощности
Типовая схема включения
ИМС К174УН4 в качестве усилителя
мощности

Корпус типа 201.9-1
Корпус типа 201.9-1

Электрическая схема включения
Электрическая схема включения

Типовая схема включения микросхема К174УН4. Регулировка резистора R2 в пределах 240 Ом...2,7 кОм изменяют чувствительность в
Типовая схема включения микросхемы К174УН4. Регулировка резистора R2 в пределах 240 Ом…2,7 кОм изменяют чувствительность в пределах 50…500 мВ

Принципиальная схема экономичного усилителя на микросхеме К174УН4 (20)
Принципиальная схема экономичного усилителя на микросхеме К174УН4 (20)

Описание

Микросхемы представляют собой усилители мощности звуковой частоты с выходной мощностью 1 Вт (К174УН4А) и 0,7 Вт (К174УН4Б) на нагрузке 4 Ом. Содержат 32 интегральных элемента. Корпус типа 201.9-1, масса не более 1,2 г.

Назначение выводов: 1 — коррекция  выходов транзисторов; 2 — обратная связь; 4 — вход; 5 — фильтр; 6 — вольтодобавка; 7 — напряжение питания (+Uп); 8 — выход; 9 — напряжение питания (—Uп).

Общие рекомендации по применению

При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем.
Температура пайки 235±5 °С, расстояние от корпуса до места пайки не менее 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с.
При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена защита от случайного увеличения напряжения питания.
Эксплуатация микросхем допускается только с применением теплоотвода.
Для устранения высокочастотной генерации необходимо уменьшать индуктивность проводов, соединяющих вывод 7 с источником питания, использовать только короткие провода, экранировать провод, соединяющий вход микросхемы с генератором сигналов.
Регулировка коэффициента усиления напряжения на низких частотах может быть проведена изменением емкостей конденсаторов С2 и С5. Ослабление усиления на верхней граничной частоте 20 кГц — не более 3 дБ. Допускается регулировка коэффициента усиления напряжения с помощью изменение сопротивления резистора обратной связи R2 и емкости конденсатора С2.
Допустимое значение статического потенциала 200 В.

 

 
Электрические параметры 
Параметры Условия К174УН4А К174УН4Б Ед. изм.
Номинальное напряжение питания 9±10% 9±10% В
Ток потребления при Uп = 9 В ≤10 ≤10 мА
Коэффициент усиления при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Uвх = 0,1 В 4…40 4…40
Нестабильность коэффициента усиления напряжения при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Т = +25…55 °С ≤20 ≤20 %
Коэффициент гармоник при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Uвых = 2 В ≤2 %
при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Uвых = 1,7 В ≤2
Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц ≥10 ≥10 кОм
Выходная мощность при Rн = 40 мА 1 0,7 Вт
Диапазон рабочих частот 30…20×103 30…20×103 Гц
Коэффициент полезного действия при Pвых = 1 Вт 50 %
при Pвых = 0,7 Вт 35
Тепловое сопротивление кристалл—корпус 60 60 °С/Вт
кристалл—среда 135 135
Температура окружающей среды -25…+55 -25…+55 °С
 
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры Условия К174УН4А К174УН4Б Ед.изм.
Напряжение питания 8,1…9,9 8,1…9,9 В
в предельном режиме 5,4…10 5,4…10
Выходное напряжение ≤2 ≤1,7 В
в предельном режиме 2,2 1,87
Амплитуда тока в нагрузке ≤840 ≤710 мА
в предельном режиме 900 750
Температура кристалла +125 +125 °С