2SC5386 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SC5386 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC5386 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Четвертое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Изолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 600 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 5 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный 8,0/16 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 50 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 6,0 А 4,3 7,5
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 6 A, Ib = 1,5 А 3,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения 6,0 А
Ib Ток базы 4,0 А
Tf Время спада импульса F = 64 кГц 0,15 0,3 мкс