2SC5570 — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора 2SC5570 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора 2SC5570 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Четвертое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Неизолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1700 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 5 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный 28/56 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 220 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 22 А 4,5 7,5
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 22 A, Ib = 5,5 А 3,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения 22 А
Ib Ток базы 14 А
Tf Время спада импульса F = 64 кГц 0,1 0,3 мкс