BU508DFI — кремниевый NPN эпитаксиальный составной транзистор

Корпус транзистора BU508DFI и его обозначение на схеме
Корпус транзистора BU508DFI и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный составной транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  •  Высокое напряжение пробоя.
  • Изолированный корпус.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 700 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 10 В
Ic Ток коллектора 8,0 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) 15,0
Ib Ток базы 3 А
Ток базы импульсный (t≤5 мс) 8 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 50 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 1500 В, Veb = 0 В 1,0 мА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 В 300 мА
fT Граничная частота эффективного усиления I = 5,0 А 7 МГц
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5,0 A, Ib = 2,0 А 1 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 5,0 A, Ib = 2,0 А 1,3 В
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде I = 4,0 А 2 В
Tf Время спада импульса индуктивная нагрузка 0,55 мкс