Транзистор КТ3109

Цоколевка транзистора КТ3109
Цоколевка транзистора КТ3109

 

Параметры транзистора КТ3109
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ3109А BF680, 2SA983
КТ3109Б BF979
КТ3109В BF970
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max 40 °С 170 мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ3109А ≥800 МГц
КТ3109Б ≥800
КТ3109В ≥800
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ3109А 30 В
КТ3109Б 10к 25
КТ3109В 10к 25
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ3109А  — 3 В
КТ3109Б 3
КТ3109В 3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ3109А 50 мА
КТ3109Б 50
КТ3109В 50
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ3109А 20 В ≤0.1 мкА
КТ3109Б 20 В ≤0.1
КТ3109В 20 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ3109А 10 В; 10 мА ≥15
КТ3109Б 10 В; 10 мА ≥15
КТ3109В 10 В; 10 мА ≥15
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ3109А 10 В ≤1 пФ
КТ3109Б 10 В ≤1
КТ3109В 10 В ≤1
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ3109А 0.8 ГГц ≥15** Ом, дБ
КТ3109Б 0.8 ГГц ≥13**
КТ3109В 0.8 ГГц ≥13**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ3109А 800 МГц ≤6 Дб, Ом, Вт
КТ3109Б 800 МГц ≤7
КТ3109В 800 МГц ≤7
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ3109А ≤6 пс
КТ3109Б ≤10
КТ3109В ≤10

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.