Транзистор КТ645

Цоколевка транзистора КТ645

Цоколевка транзистора КТ645

 

 

Параметры транзисторов КТ645
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ645А 500(1000*) мВт
КТ645Б 500
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ645А ≥200 МГц
КТ645Б ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ645А 60 В
КТ645Б 40
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ645А 4 В
КТ645Б 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ645А 300(600*) мА
КТ645Б 300(600*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ645А 60 В ≤10 мкА
КТ645Б 40 В ≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ645А 2 В; 0.15 А 20…200*
КТ645Б 10 В; 2 мА ≥80
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ645А 10 В ≤5 пФ
КТ645Б 10 В ≤5
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ645А ≤3.3 Ом, дБ
КТ645Б
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ645А Дб, Ом, Вт
КТ645Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ645А ≤120; ≤50* пс, нс ,нс
КТ645Б

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.