Транзистор КТ664

Цоколевка транзисторов КТ664, КТ665
Цоколевка транзисторов КТ664, КТ665

 

Параметры транзисторов КТ664
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ664А-9 300(1000*) мВт
КТ664Б-9 300(1000*)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ664А-9 ≥50 МГц
КТ664Б-9 ≥50
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ664А-9 120 В
КТ664Б-9 100
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ664А-9 5 В
КТ664Б-9 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ664А-9 1(1.5*) А
КТ664Б-9 1(1.5*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ664А-9 100 В ≤10 мкА
КТ664Б-9 100 В ≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ664А-9 2 В; 0.1 А 40…250*
КТ664Б-9 2 В; 0.1 А 40…250*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ664А-9 5 В ≤25 пФ
КТ664Б-9 5 В ≤25
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ664А-9 ≤2.3 Ом, дБ
КТ664Б-9 ≤2.3
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ664А-9 Дб, Ом, Вт
КТ664Б-9
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ664А-9 ≤700** пс, нс ,нс
КТ664Б-9 ≤700**

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.