Транзистор КТ805

Цоколевка транзисторов КТ802, КТ803, КТ805
Цоколевка транзисторов КТ802, КТ803, КТ805

Цоколевка транзистора КТ805М
Цоколевка транзистора КТ805М

 

 

Параметры транзистора КТ805
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ805А 2SC687 *1, MJE5182 *1, BU312 *1, 182Т2А *1, KDY25 *1
КТ805Б BU311 *1, SK3440 *1, 2N6466 *3, 2N6465 *3, 2N6473 *3, 181Т2А *3
КТ805АМ MJE5182 *2, MJE5181 *2, BD241E *2, BD241F *2
КТ805БМ SK3440, 2N6474 *2, BD241D *2, BDT41C *2, BDT31C *2, TIP31C *2, 2N6473 *2, BD241C *2, 2SD772 *2
КТ805ВМ SK3440, 2N6474 *2, BD241D *2, BDT41C *2, BDT31C *2, TIP31C *2, 2N6473 *2, BD241C *2, 2SD772 *2
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ805А 30 мВт
КТ805Б 30
КТ805АМ 50 °С 30*
КТ805БМ 50 °С 30*
КТ805ВМ 50 °С 30*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ805А ≥20 МГц
КТ805Б ≥20
КТ805АМ ≥20
КТ805БМ ≥20
КТ805ВМ ≥20
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ805А 160 имп. 60* В
КТ805Б 135 имп. 60*
КТ805АМ 160 имп. 60*
КТ805БМ 135 имп. 60*
КТ805ВМ 135 имп. 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ805А 5 В
КТ805Б 5
КТ805АМ 5
КТ805БМ 5
КТ805ВМ 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ805А 5(8*) А
КТ805Б 5(8*)
КТ805АМ 5(8*)
КТ805БМ 5(8*)
КТ805ВМ 5(8*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ805А 60 В ≤15* мА
КТ805Б 60 В ≤15*
КТ805АМ 60 В ≤15*
КТ805БМ 60 В ≤15*
КТ805ВМ 60 В ≤15*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ805А 10 В; 2 А ≥15*
КТ805Б 10 В; 2 А ≥15*
КТ805АМ 10 В; 2 А ≥15*
КТ805БМ 10 В; 2 А ≥15*
КТ805ВМ 10 В; 2 А ≥15*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ805А
пФ
КТ805Б
КТ805АМ
КТ805БМ
КТ805ВМ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ805А ≤0.5 Ом, дБ
КТ805Б ≤1
КТ805АМ ≤0.5
КТ805БМ ≤1
КТ805ВМ ≤1.25
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ805А Дб, Ом, Вт
КТ805Б
КТ805АМ
КТ805БМ
КТ805ВМ
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ805А пс
КТ805Б
КТ805АМ
КТ805БМ
КТ805ВМ

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.