Транзистор КТ808

Цоколевка транзистора КТ808
Цоколевка транзистора КТ808

Цоколевка транзистора КТ808-1
Цоколевка транзистора КТ808-1

Цоколевка транзистора КТ808-3
Цоколевка транзистора КТ808-3

Цоколевка транзистора КТ808М
Цоколевка транзистора КТ808М

 

 

Параметры транзистора КТ698
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ808АМ 2SC1116 *2, 2N5633, MJ4247, KDY56 *2, BD550 *2, 2SC519A *2, КТС1617 *2, 2SC1617 *2, 2SD214, 2SD203 *2
КТ808БМ BDX95, BDW21C *2, 2N5758 *2, 181Т2А *2, KDY24 *2, SDT7733 *2, 2N3446, 2SC1619 *2
КТ808ВМ MJ2841, BD313, 2N5878,

BDX93, BDW21B *2, 2N5874 *2, SDT7732, BDY17 *2
КТ808ГМ 2N5877, BD311, MJ2840,

BDX91, BDW21A *2, KDY23 *2
КТ808А3 BD955, BDT41C *2
КТ808Б3 BD245C, BD303B *2, NTC2334 *2, BDX77 *2, NTD569 *2, BD501В, 2N5496 *2, 2N5497 *2, BDT *2, 2N6131 *2, BD245B *2
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ808А — 50* Вт
КТ808А1 — 70*
КТ808Б1 — 70*
КТ808В1 — 70*
КТ808Г1 — 70*
КТ808А3 — 70*
КТ808Б3 — 70*
КТ808АМ 50 °С 60*
КТ808БМ 50 °С 60*
КТ808ВМ 50 °С 60*
КТ808ГМ 50 °С 60*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ808А — ≥7.2 МГц
КТ808А1 — ≥8
КТ808Б1 — ≥8
КТ808В1 — ≥8
КТ808Г1 — ≥8
КТ808А3 — ≥8
КТ808Б3 — ≥8
 КТ808АМ — ≥8
КТ808БМ — ≥8
КТ808ВМ — ≥8
КТ808ГМ — ≥8
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ808А 200 имп. 120* В
КТ808А1 — 130*
КТ808Б1 — 100*
КТ808В1 — 80*
КТ808Г1 — 70*
КТ808А3 — 130
КТ808Б3 — 100
КТ808АМ 250 имп. 130*
КТ808БМ 160 имп. 100*
КТ808ВМ 150 имп. 80*
КТ808ГМ 80 имп. 70*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ808А — 4 В
КТ808А1 — 5
КТ808Б1 — 5
КТ808В1 — 5
КТ808Г1 — 5
КТ808А3 — 5
КТ808Б3 — 5
КТ808АМ — 5
КТ808БМ — 5
КТ808ВМ — 5
КТ808ГМ — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ808А — 10 А
КТ808А1 — 10
КТ808Б1 — 10
КТ808В1 — 10
КТ808Г1 — 10
КТ808А3 — 10(15*)
КТ808Б3 — 10(15*)
КТ808АМ — 10
КТ808БМ — 10
КТ808ВМ — 10
КТ808ГМ — 10
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ808А 120 В ≤3* мкА
КТ808А1 130 В ≤2*
КТ808Б1 100 В ≤2*
КТ808В1 80 В ≤2*
КТ808Г1 70 В ≤2*
КТ808А3 130 В ≤2*
КТ808Б3 100 В ≤2*
КТ808АМ 120 В ≤2*
КТ808БМ 100 В ≤2*
КТ808ВМ 100 В ≤2*
КТ808ГМ 70 В ≤2*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ808А 3 В; 6 А 10…50*
КТ808А1 3 В; 2 А 20..125
КТ808Б1 3 В; 2 А 20..125
КТ808В1 3 В; 2 А 20..125
КТ808Г1 3 В; 2 А 20..125
КТ808А3 3 В; 2 А 20..125
КТ808Б3 3 В; 2 А 20..125
КТ808АМ 3 В; 2 А 20..125*
КТ808БМ 3 В; 2 А 20..125*
КТ808ВМ 3 В; 2 А 20..125*
КТ808ГМ 3 В; 2 А 20..125*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ808А 10 В ≤500
 пФ
КТ808А1 10 В ≤500
КТ808Б1 10 В ≤500
КТ808В1 10 В ≤500
КТ808Г1 10 В ≤500
КТ808А3 100 В ≤500
КТ808Б3 100 В ≤500
КТ808АМ 100 В ≤500
КТ808БМ 100 В ≤500
КТ808ВМ 100 В ≤500
КТ808ГМ 100 В ≤500
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ808А — — Ом, дБ
КТ808А1 — ≤0.33
КТ808Б1 — ≤0.33
КТ808В1 — ≤0.33
КТ808Г1 — ≤0.33
КТ808А3 — —
КТ808Б3 — —
КТ808АМ — ≤0.33
КТ808БМ — ≤0.33
КТ808ВМ ≤0.33
КТ808ГМ — ≤0.33
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ808А — — Дб, Ом, Вт
КТ808А1 — —
КТ808Б1 — —
КТ808В1 — —
КТ808Г1 — —
КТ808А3 — —
КТ808Б3 — —
КТ808АМ — —
КТ808БМ — —
КТ808ВМ — —
КТ808ГМ — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ808А — ≤2000* пс
КТ808А1 — —
КТ808Б1 — —
КТ808В1 — —
КТ808Г1 — —
КТ808А3 — ≤2000*
КТ808Б3 — ≤2000*
КТ808АМ — ≤2000*
КТ808БМ — ≤2000*
КТ808ВМ — ≤2000*
КТ808ГМ — ≤2000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.