Транзистор КТ808

Цоколевка транзистора КТ808
Цоколевка транзистора КТ808

Цоколевка транзистора КТ808-1
Цоколевка транзистора КТ808-1

Цоколевка транзистора КТ808-3
Цоколевка транзистора КТ808-3

Цоколевка транзистора КТ808М
Цоколевка транзистора КТ808М

 

 

Параметры транзистора КТ698
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ808А 50* Вт
КТ808А1 70*
КТ808Б1 70*
КТ808В1 70*
КТ808Г1 70*
КТ808А3 70*
КТ808Б3 70*
КТ808АМ 50 °С 60*
КТ808БМ 50 °С 60*
КТ808ВМ 50 °С 60*
КТ808ГМ 50 °С 60*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ808А ≥7.2 МГц
КТ808А1 ≥8
КТ808Б1 ≥8
КТ808В1 ≥8
КТ808Г1 ≥8
КТ808А3 ≥8
КТ808Б3 ≥8
 КТ808АМ ≥8
КТ808БМ ≥8
КТ808ВМ ≥8
КТ808ГМ ≥8
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ808А 200 имп. 120* В
КТ808А1 130*
КТ808Б1 100*
КТ808В1 80*
КТ808Г1 70*
КТ808А3 130
КТ808Б3 100
КТ808АМ 250 имп. 130*
КТ808БМ 160 имп. 100*
КТ808ВМ 150 имп. 80*
КТ808ГМ 80 имп. 70*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ808А 4 В
КТ808А1 5
КТ808Б1 5
КТ808В1 5
КТ808Г1 5
КТ808А3 5
КТ808Б3 5
КТ808АМ 5
КТ808БМ 5
КТ808ВМ 5
КТ808ГМ 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ808А 10 А
КТ808А1 10
КТ808Б1 10
КТ808В1 10
КТ808Г1 10
КТ808А3 10(15*)
КТ808Б3 10(15*)
КТ808АМ 10
КТ808БМ 10
КТ808ВМ 10
КТ808ГМ 10
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ808А 120 В ≤3* мкА
КТ808А1 130 В ≤2*
КТ808Б1 100 В ≤2*
КТ808В1 80 В ≤2*
КТ808Г1 70 В ≤2*
КТ808А3 130 В ≤2*
КТ808Б3 100 В ≤2*
КТ808АМ 120 В ≤2*
КТ808БМ 100 В ≤2*
КТ808ВМ 100 В ≤2*
КТ808ГМ 70 В ≤2*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ808А 3 В; 6 А 10…50*
КТ808А1 3 В; 2 А 20..125
КТ808Б1 3 В; 2 А 20..125
КТ808В1 3 В; 2 А 20..125
КТ808Г1 3 В; 2 А 20..125
КТ808А3 3 В; 2 А 20..125
КТ808Б3 3 В; 2 А 20..125
КТ808АМ 3 В; 2 А 20..125*
КТ808БМ 3 В; 2 А 20..125*
КТ808ВМ 3 В; 2 А 20..125*
КТ808ГМ 3 В; 2 А 20..125*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ808А 10 В ≤500
пФ
КТ808А1 10 В ≤500
КТ808Б1 10 В ≤500
КТ808В1 10 В ≤500
КТ808Г1 10 В ≤500
КТ808А3 100 В ≤500
КТ808Б3 100 В ≤500
КТ808АМ 100 В ≤500
КТ808БМ 100 В ≤500
КТ808ВМ 100 В ≤500
КТ808ГМ 100 В ≤500
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ808А Ом, дБ
КТ808А1 ≤0.33
КТ808Б1 ≤0.33
КТ808В1 ≤0.33
КТ808Г1 ≤0.33
КТ808А3
КТ808Б3
КТ808АМ ≤0.33
КТ808БМ ≤0.33
КТ808ВМ ≤0.33
КТ808ГМ ≤0.33
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ808А Дб, Ом, Вт
КТ808А1
КТ808Б1
КТ808В1
КТ808Г1
КТ808А3
КТ808Б3
КТ808АМ
КТ808БМ
КТ808ВМ
КТ808ГМ
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ808А ≤2000* пс
КТ808А1
КТ808Б1
КТ808В1
КТ808Г1
КТ808А3 ≤2000*
КТ808Б3 ≤2000*
КТ808АМ ≤2000*
КТ808БМ ≤2000*
КТ808ВМ ≤2000*
КТ808ГМ ≤2000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.