Транзистор КТ8116

Цоколевка транзистора КТ8116
Цоколевка транзистора КТ8116

 

Параметры транзистора КТ8116
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ8116А PMD12K100 *3, SK3978 *1, MJE6045 *1, TIP132 *2, BD901 *2, SK3896, MJD122-1 *3, NTE261, ECG261, 2SD2024 *2, 2SD2025 *2, BDX63A *1, BD267A *2, TIP122 *2 
КТ8116Б PMD12K80 *3, 2N6056 *3, RCA1001 *3, MJ1001 *3, 2N6301 *3, TIP131 *2, BD899A *2, BD899 *2, BD699 *3, 2SD1176A *2, 2N6044 *2, TIP101 *2, 2SD916, TIP121 *2
КТ8116В 2N6055 *3, RCA1000 *3, MJ1000 *3, 2N6300 *3TIP130, BD897A *2, BD897 *2, BD697 *3, 2SD1219 *2, 2SD1176 *2, TIP100, BDW73A *2, 2SD1797 *2
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ8116А 65* Вт
КТ8116Б 65*
КТ8116В 65*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ8116А ≥4 МГц
КТ8116Б ≥4
КТ8116В ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ8116А 100 В
КТ8116Б 80
КТ8116В 60
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ8116А 5 В
КТ8116Б 5
КТ8116В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ8116А 8(16*) А
КТ8116Б 8(16*)
КТ8116В 8(16*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ8116А 100 В ≤0.2 мА
КТ8116Б 80 В ≤0.2
КТ8116В 60 В ≤0.2
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ8116А 3 В; 0.5 А ≥1000*
КТ8116Б 3 В; 0.5 А ≥1000*
КТ8116В 3 В; 0.5 А ≥1000*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ8116А
пФ
КТ8116Б
КТ8116В
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ8116А ≤0.7 Ом, дБ
КТ8116Б ≤0.7
КТ8116В ≤0.7
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ8116А Дб, Ом, Вт
КТ8116Б
КТ8116В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ8116А пс
КТ8116Б
КТ8116В

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.