Транзистор КТ8116

Цоколевка транзистора КТ8116
Цоколевка транзистора КТ8116

 

Параметры транзистора КТ8116
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ8116А 65* Вт
КТ8116Б 65*
КТ8116В 65*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ8116А ≥4 МГц
КТ8116Б ≥4
КТ8116В ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ8116А 100 В
КТ8116Б 80
КТ8116В 60
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ8116А 5 В
КТ8116Б 5
КТ8116В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ8116А 8(16*) А
КТ8116Б 8(16*)
КТ8116В 8(16*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ8116А 100 В ≤0.2 мА
КТ8116Б 80 В ≤0.2
КТ8116В 60 В ≤0.2
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ8116А 3 В; 0.5 А ≥1000*
КТ8116Б 3 В; 0.5 А ≥1000*
КТ8116В 3 В; 0.5 А ≥1000*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ8116А
пФ
КТ8116Б
КТ8116В
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ8116А ≤0.7 Ом, дБ
КТ8116Б ≤0.7
КТ8116В ≤0.7
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ8116А Дб, Ом, Вт
КТ8116Б
КТ8116В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ8116А пс
КТ8116Б
КТ8116В

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.